Infineon präsentiert weltweit erste 300-Millimeter-Galliumnitrid (GaN)-Power-Technologie – ein Meilenstein für die Branche
München, Deutschland und Villach, Österreich - 11. September 2024 – Die Infineon Technologies AG gab heute bekannt, dass es dem Unternehmen gelungen ist, die weltweit erste 300-mm-Galliumnitrid (GaN)-Wafer-Technologie für die Leistungselektronik zu...
Zur Pressemeldung auf www.infineon.com